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          浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心宋立輝課題組2022年博士后招聘啟事

          時(shí)間:2022-06-27來源:中國博士人才網(wǎng) 作者:佚名

          一、課題組簡介

          實(shí)驗(yàn)室簡介:浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料相關(guān)的基礎(chǔ)研究,重點(diǎn)突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體的生長、加工、外延及成套裝備,解決一系列寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“卡脖子”技術(shù)難題,推動寬禁帶半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展,提高我國在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際競爭力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學(xué)術(shù)帶頭人,已有成員50多人。擁有中國科學(xué)院院士1人、浙江大學(xué)和浙江大學(xué)杭州科創(chuàng)中心雙聘教授2人、科創(chuàng)百人5人、博士后和技術(shù)開發(fā)專家21人,工程師13人,博士占比54%。研究室成立至今在Advanced Functional Materials、Physical Review Applied、Applied Physics Letters、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materialsl等國際期刊發(fā)表SCI論文40余篇,申請國家發(fā)明專利70余項(xiàng),其中授權(quán)12項(xiàng),申請實(shí)用新型專利30余項(xiàng),其中授權(quán)17項(xiàng)。

          主要負(fù)責(zé)人簡介:宋立輝,求是科創(chuàng)學(xué)者(“科創(chuàng)百人計(jì)劃”研究員),浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室。2010年本科畢業(yè)于浙江大學(xué),2011-2015年在澳大利亞新南威爾士大學(xué)完成研究生學(xué)習(xí),取得博士學(xué)位。2016-2021年任職于杭州電子科技大學(xué),擔(dān)任副教授。宋立輝博士長期從事先進(jìn)光伏技術(shù)(晶硅方向),第三代半導(dǎo)體材料(碳化硅方向)的研究。近年來,在Prog in photovoltaics、Solar rrl、Solar energy materials and solar cells、Solar energy、Appl. Phys. Lett.等國際知名期刊發(fā)表論文50余篇。完成晶硅太陽能電池方向英語學(xué)術(shù)專著2本, 授權(quán)中國發(fā)明專利3項(xiàng),國際(多國)發(fā)明專利6項(xiàng),其中國際發(fā)明專利“Advanced hydrogenation of silicon solar cells”(主要發(fā)明人之一)廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)領(lǐng)域,取得數(shù)百億元經(jīng)濟(jì)效益。主持國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、浙江省基礎(chǔ)科研經(jīng)費(fèi)項(xiàng)目等多項(xiàng)科研基金。此外,擔(dān)任Prog in photovoltaics、Solar energy materials and solar cells, Solar energy等國際知名期刊的審稿人。

          二、重點(diǎn)引進(jìn)方向
          寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅的缺陷工程與雜質(zhì)調(diào)控(滿足其一即可)

          方向1,探索碳化硅材料中缺陷與雜質(zhì)的基本性質(zhì);

          方向2,探索碳化硅材料中缺陷與雜質(zhì)的檢測方法;

          方向3,探索碳化硅材料中缺陷與雜質(zhì)的消除或鈍化方法;

          方向4,探索碳化硅材料的輻照效應(yīng)和抗輻照研究。

          三、申請條件
          1. 具有博士學(xué)位,品學(xué)兼優(yōu),身心健康;

          2. 具有材料、物理、光電、化學(xué)等學(xué)科背景;

          3. 近三年曾作為第一作者至少發(fā)表了1篇具有一定影響力的研究論文;

          4. 具有良好的英語聽說讀寫能力;

          5. 近五年內(nèi)獲得博士學(xué)位,品學(xué)兼優(yōu),身心健康,年齡原則上不超過35周歲;

          6. 熟悉碳化硅(SiC)的缺陷工程的表征技術(shù)者優(yōu)先。

          四、待遇及保障條件
          1.根據(jù)科研工作能力提供具有競爭力的薪酬(含地方政府人才補(bǔ)助),具體面議(應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補(bǔ)貼10萬元);

          2.對獲得中國博士后科學(xué)基金資助和省級博士后科研項(xiàng)目資助的,杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助;

          3.提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件;

          4.協(xié)助申請杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房;

          5.工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者,如符合相應(yīng)要求,可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者”崗位或技術(shù)開發(fā)崗位;

          6.在站期間,符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務(wù);出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱,并可獲得地方政府80萬人才補(bǔ)貼。

          五、申請材料
          1.個(gè)人簡歷;

          2.表明研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果(如:獲獎情況、鑒定、項(xiàng)目、學(xué)術(shù)論文等)及佐證材料;

          3.博士學(xué)位論文。

          申請人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱:songlihui@zju.edu.cn,附件和郵件主題均以“宋立輝課題組+博士后+姓名 ”標(biāo)明。

          六、聯(lián)系方式:

          聯(lián)系人:劉老師

          聯(lián)系電話:0571-82990656

          地址:浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號

          為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至:boshijob@126.com(郵件標(biāo)題格式:應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng))

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