一、課題組簡(jiǎn)介

實(shí)驗(yàn)室簡(jiǎn)介：浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料相關(guān)的基礎(chǔ)研究，重點(diǎn)突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體的生長(zhǎng)、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“卡脖子”技術(shù)難題，推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展，提高我國(guó)在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學(xué)術(shù)帶頭人，已有成員50多人。擁有中國(guó)科學(xué)院院士1人、浙江大學(xué)和浙江大學(xué)杭州科創(chuàng)中心雙聘教授2人、科創(chuàng)百人5人、博士后和技術(shù)開發(fā)專家21人，工程師13人，博士占比54%。研究室成立至今在Advanced Functional Materials、Physical Review Applied、Applied Physics Letters、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materialsl等國(guó)際期刊發(fā)表SCI論文40余篇，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利70余項(xiàng)，其中授權(quán)12項(xiàng)，申請(qǐng)實(shí)用新型專利30余項(xiàng)，其中授權(quán)17項(xiàng)。

主要負(fù)責(zé)人簡(jiǎn)介：宋立輝，求是科創(chuàng)學(xué)者（“科創(chuàng)百人計(jì)劃”研究員），浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室。2010年本科畢業(yè)于浙江大學(xué)，2011-2015年在澳大利亞新南威爾士大學(xué)完成研究生學(xué)習(xí)，取得博士學(xué)位。2016-2021年任職于杭州電子科技大學(xué)，擔(dān)任副教授。宋立輝博士長(zhǎng)期從事先進(jìn)光伏技術(shù)（晶硅方向），第三代半導(dǎo)體材料（碳化硅方向）的研究。近年來，在Prog in photovoltaics、Solar rrl、Solar energy materials and solar cells、Solar energy、Appl. Phys. Lett.等國(guó)際知名期刊發(fā)表論文50余篇。完成晶硅太陽(yáng)能電池方向英語(yǔ)學(xué)術(shù)專著2本, 授權(quán)中國(guó)發(fā)明專利3項(xiàng)，國(guó)際（多國(guó)）發(fā)明專利6項(xiàng)，其中國(guó)際發(fā)明專利“Advanced hydrogenation of silicon solar cells”（主要發(fā)明人之一）廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)領(lǐng)域，取得數(shù)百億元經(jīng)濟(jì)效益。主持國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、浙江省基礎(chǔ)科研經(jīng)費(fèi)項(xiàng)目等多項(xiàng)科研基金。此外，擔(dān)任Prog in photovoltaics、Solar energy materials and solar cells, Solar energy等國(guó)際知名期刊的審稿人。

二、重點(diǎn)引進(jìn)方向
寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅的缺陷工程與雜質(zhì)調(diào)控（滿足其一即可）

方向1，探索碳化硅材料中缺陷與雜質(zhì)的基本性質(zhì)；

方向2，探索碳化硅材料中缺陷與雜質(zhì)的檢測(cè)方法；

方向3，探索碳化硅材料中缺陷與雜質(zhì)的消除或鈍化方法；

方向4，探索碳化硅材料的輻照效應(yīng)和抗輻照研究。

三、申請(qǐng)條件
1. 具有博士學(xué)位，品學(xué)兼優(yōu)，身心健康；

2. 具有材料、物理、光電、化學(xué)等學(xué)科背景；

3. 近三年曾作為第一作者至少發(fā)表了1篇具有一定影響力的研究論文；

4. 具有良好的英語(yǔ)聽說讀寫能力；

5. 近五年內(nèi)獲得博士學(xué)位，品學(xué)兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；

6. 熟悉碳化硅（SiC）的缺陷工程的表征技術(shù)者優(yōu)先。

四、待遇及保障條件
1.根據(jù)科研工作能力提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬（含地方政府人才補(bǔ)助），具體面議（應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補(bǔ)貼10萬元）；

2.對(duì)獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助；

3.提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件；

4.協(xié)助申請(qǐng)杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房；

5.工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績(jī)突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請(qǐng)科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者”崗位或技術(shù)開發(fā)崗位；

6.在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補(bǔ)貼。

五、申請(qǐng)材料
1.個(gè)人簡(jiǎn)歷；

2.表明研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果（如：獲獎(jiǎng)情況、鑒定、項(xiàng)目、學(xué)術(shù)論文等）及佐證材料；

3.博士學(xué)位論文。

申請(qǐng)人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱：songlihui@zju.edu.cn，附件和郵件主題均以“宋立輝課題組+博士后+姓名 ”標(biāo)明。

六、聯(lián)系方式:

聯(lián)系人：劉老師

聯(lián)系電話：0571-82990656

地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號(hào)

為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國(guó)博士人才網(wǎng)）