實驗室圍繞光電信息科技與產業(yè)領域,布局戰(zhàn)略性先進光電材料、新型照明與顯示、高速通訊與感知等三大研究方向,實現(xiàn)光電信息產業(yè)核心技術自主可控,建成光電信息領域國際一流的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)創(chuàng)造高地和高層次人才培養(yǎng)基地,為推動高質量發(fā)展超越、促進光電信息產業(yè)集群跨越式發(fā)展和產業(yè)結構優(yōu)化升級提供強有力科技支撐。
任意晶向自支撐大尺寸多孔GaN單晶襯底制備及應用項目致力于全新多孔GaN襯底制備技術的開發(fā),解決GaN晶向調控與器件外延界面應力國際難題,并降低襯底缺陷密度,實現(xiàn)產業(yè)化轉化。根據(jù)工作需要,項目組擬招聘以下崗位:
一、招聘需求
崗位名稱 | 招聘人數(shù) | 崗位職責 | 崗位要求 |
外延研發(fā)工程師 | 1 |
1、使用氮化設備及外延生長設備進行氮化鎵單晶襯底外延生長技術的研發(fā)及相關設備的工藝調試;氮化鎵基器件應用設計。 2、對生長材料進行測試表征并能夠分析數(shù)據(jù),對生長工藝進行調試和改進; 3、參與實驗室建設和運營管理; 4、參與科研資料的撰寫整理。 |
1、在半導體物理、材料、化學、光電子、微電子等相關領域具有博士學位; 2、熟悉半導體材料外延生長、半導體光電子等相關專業(yè)知識; 3、工作踏實,積極主動,擅于學習,富有團隊精神; 4、熟悉外延設備操作,具有五年以上氮化鎵基器件研發(fā)工作經驗。 |
1.薪酬待遇:執(zhí)行實驗室現(xiàn)有的具有市場競爭力的薪酬和績效標準。
2.人才政策:實驗室可協(xié)助申請各類人才配套待遇。符合實驗室高層次人才評定條件的,應聘時可按照有關規(guī)定申請高層次人才及配套待遇的認定。
3.職稱評定:根據(jù)相關政策規(guī)定申請職稱評定。
4.人才培養(yǎng):實驗室堅持績效和目標導向,在職稱評定、學術交流與培訓、科研績效支出等方面向青年骨干人員傾斜,助力青年人才快速成長。
5.基本保障:按照福州市相關繳費比例繳納五險一金,享受國家規(guī)定的各類假期、帶薪年休假及年度體檢等福利待遇。
三、應聘流程
1.應聘申請材料:應聘申請表、身份證/護照、學歷/學位證書、學術成就目錄、獲獎證明、專利證書等復印件以及本人認為有必要提供的其他相關材料;
2.材料以“崗位名稱+姓名+項目名稱 ”命名發(fā)送至:Talents@fjoel.cn
3.招聘考核分為資格審查、專家面試、室務會審批等環(huán)節(jié)。對于通過資格審查的應聘者,由實驗室組織評審專家對應聘者進行面試。相關崗位未招滿前,崗位招聘啟事長期有效。應聘申請材料恕不退還,實驗室將予以嚴格保密。
四、聯(lián)系方式
1.聯(lián)系電話:+86-0591-63173852,15880060856程老師
2.實驗室網(wǎng)址:http://fjoel.cn/
信息來源于網(wǎng)絡,如有變更請以原發(fā)布者為準。
來源鏈接:
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為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至:boshijob@126.com(郵件標題格式:應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng))
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