中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所擁有優(yōu)秀的研究隊伍、科研平臺和教學(xué)基地,是中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院的主辦單位,材料科學(xué)與工程入選國家一流學(xué)科。在相關(guān)研究領(lǐng)域已取得一系列重大原創(chuàng)性成果,近年來獲得國家自然科學(xué)獎、國家科技進(jìn)步獎等多項獎勵,黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學(xué)技術(shù)獎。
一、 招聘崗位
用人部門 | 序號 | 崗位職責(zé) | 學(xué)歷/學(xué)位 | 招聘數(shù)量 | 專業(yè)領(lǐng)域 | 接收簡歷郵箱 | 是否應(yīng)屆生 |
集成技術(shù)中心 | 1 | 半導(dǎo)體工藝技術(shù)開發(fā) | 博士 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、物理類 | shenqing@semi.ac.cn | 是 |
人工智能與高速電路實驗室 | 2 | 數(shù)字芯片崗位,模擬芯片崗位 | 博士、碩士 | 3-5 | 微電子及相關(guān)專業(yè) | xdong@semi.ac.cn | 不限 |
固態(tài)光電信息技術(shù)實驗室 | 3 | 有博士后經(jīng)歷,研究氮化鎵半導(dǎo)體器件工藝 | 博士 | 1 | 微電子學(xué)與固體電子學(xué) | dgzhao@red.semi.ac.cn | 不限 |
4 | 開展非侵入式腦-機(jī)接口研究 | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類 | peiwh@semi.ac.cn | 否 | |
5 | 半導(dǎo)體單晶襯底表面缺陷的形成機(jī)理及去除方法 | 碩士或博士 | 1 | 化學(xué)類、材料物理與化學(xué) | shenguiying@semi.ac.cn | 不限 | |
6 | 新材料的晶體生長工藝和缺陷分析 | 碩士或博士 | 1 | 半導(dǎo)體材料類、半導(dǎo)體物理 | shenguiying@semi.ac.cn | 不限 | |
半導(dǎo)體物理實驗室 | 7 | 主要負(fù)責(zé)自旋芯片研制和應(yīng)用開發(fā) | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、物理類 | kywang@semi.ac.cn | 不限 |
8 | 半導(dǎo)體光譜測試,實驗室儀器設(shè)備搭建 | 碩士以上 | 1 | 物理類、光學(xué)類 | phtan@semi.ac.cn | 不限 | |
9 | 微納材料合成/片上微納結(jié)構(gòu)設(shè)計仿真、工藝及表征 | 碩士及以上 | 1 | 材料類、電子類 | shenchao@semi.ac.cn | 不限 | |
10 | 微納尺度光-電-力相互作用研究,微納操控與傳感 | 博士 | 1 | 物理類、材料類 | shenchao@semi.ac.cn | 不限 | |
11 | 助理研究員/副研究員:須具備博士后經(jīng)歷,從事自旋電子器件實驗研究,能夠獨立完成科研論文和項目申請書撰寫,已發(fā)表高水平文章者優(yōu)先 | 博士 | 1 | 自旋電子學(xué) | ljzhu@semi.ac.cn | 不限 | |
12 | 特別研究助理:從事自旋電子實驗研究,自旋電子學(xué)專業(yè),能夠獨立完成科研論文和項目申請書撰寫,已發(fā)表高水平文章者優(yōu)先 | 博士 | 2 | 自旋電子學(xué) | ljzhu@semi.ac.cn | 不限 | |
13 | 實驗工程師:負(fù)責(zé)實驗室設(shè)備和微納加工工藝及組長交待其他的其他工作,物理、材料、電子專業(yè),已發(fā)表高水平文章者優(yōu)先 | 本科及以上 | 1 | 自旋電子學(xué) | ljzhu@semi.ac.cn | 不限 | |
14 | 半導(dǎo)體材料物性與器件應(yīng)用研究 | 博士 | 1 | 材料科學(xué)與工程類、物理類 | liuxf@semi.ac.cn | 不限 | |
15 | 博士后/特別研究助理,新型半導(dǎo)體材料與器件 | 博士 | 1 | 納米材料與技術(shù)類、物理類 | liuxf@semi.ac.cn | 不限 | |
納米光電子實驗室 | 16 | 半導(dǎo)體光電器件研究 | 博士 | 3 | 微電子與固體電子學(xué)、物理類 | xuyun@semi.ac.cn | 不限 |
17 | 光電器件工藝技術(shù)開發(fā) | 本科、碩士 | 4 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、物理類 | xuyun@semi.ac.cn | 不限 | |
18 | 光電器件測試開發(fā) | 本科、碩士 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、儀器科學(xué)與技術(shù)類 | xuyun@semi.ac.cn | 不限 | |
19 | 半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)的研發(fā)與相關(guān)項目的完成 | 博士 | 2 | 微電子與固體電子學(xué)、物理類 | weix@semi.ac.cn | 不限 | |
20 | 進(jìn)行各類半導(dǎo)體光源的研發(fā)與相關(guān)項目的完成 | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類 | caoyl@semi.ac.cn | 不限 | |
21 | 進(jìn)行硅基異質(zhì)集成光電子器件的相關(guān)研發(fā)和科技管理 | 博士 | 1 | 電子信息類、化工與制藥類 | caoyl@semi.ac.cn | 不限 | |
22 | 從事薄膜鈮酸鋰光電子器件開發(fā),要求具備相關(guān)流片工藝經(jīng)驗,發(fā)表相關(guān)領(lǐng)域SCI論文3篇及以上,有全職在站博士后經(jīng)歷 | 博士 | 1 | 物理電子學(xué) | jgliu@semi.ac.cn | 不限 | |
光電子材料與器件重點實驗室 |
23 | 開展光電智能計算芯片仿真設(shè)計、裸片和封裝后的相關(guān)性能指標(biāo)測試;開展微波光子伊辛機(jī)相關(guān)研究工作 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、物理類 | ml@semi.ac.cn | 不限 |
24 | 開展光電集成芯片仿真設(shè)計、芯片測試、模塊封裝與測試;開展硅基異質(zhì)集成芯片技術(shù)開發(fā)與芯片制備 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、物理類 | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
25 | 開展光電振蕩器理論分析、芯片設(shè)計、系統(tǒng)開發(fā),開展光電振蕩器集成器件測試與功能驗證 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、物理類 | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
26 | 開展高速驅(qū)動放大和控制電路分析、版圖設(shè)計、芯片開發(fā),開展高速接口收發(fā)芯片測試與功能驗證 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、通信類 | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
27 | 開展光電融合集成理論分析、芯片設(shè)計、片上光路與電路開發(fā),開展光電單片集成芯片的測試與功能驗證 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、通信類 | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
28 | 半導(dǎo)體器件工藝及芯片測試 | 本科及以上 | 1 | 電子信息類、物理類 | ludan@semi.ac.cn | 不限 | |
29 | 銻化物低維結(jié)構(gòu)分子束外延生長與激光器制備 | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類 | nihq@semi.ac.cn | 否 | |
30 | 量子點激光器的外延與制備 | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類 | nihq@semi.ac.cn | 否 | |
31 | 面發(fā)射激光器、光電集成及系統(tǒng)應(yīng)用 | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、應(yīng)用物理類 | liuanjin@semi.ac.cn | 是 | |
32 | 光電子器件測試 | 本科、碩士及以上 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、應(yīng)用物理類 | liuanjin@semi.ac.cn | 不限 | |
33 | 博士或博后,光子芯片與光量子芯片研究 | 博士 | 1 | 物理類、電子科學(xué)與技術(shù)類 | xsxu@semi.ac.cn | 不限 | |
34 | 微納光電子材料與器件研究 | 本科、碩士及以上 | 2 | 物理類、電子科學(xué)與技術(shù)類 | xsxu@semi.ac.cn | 不限 | |
35 | 從事硅光芯片技術(shù)研發(fā) | 博士 | 4 | 微電子學(xué)與固體電子學(xué) | oip@semi.ac.cn | 是 | |
36 |
特別研究助理或博士后:從事硅基光子器件與模塊的設(shè)計與表征;InP基光電子器件設(shè)計、制備及表征;硅基-ⅢⅤ異質(zhì)集成;鈮酸鋰調(diào)制器等的研發(fā) 要求(1)熱愛科研工作,踏實努力,具有責(zé)任心和團(tuán)隊合作精神;(2)專業(yè)背景(任一):光電子學(xué)、半導(dǎo)體光電子學(xué)、半導(dǎo)體物理、光通信、電子信息、材料物理與化學(xué)、材料學(xué)、半導(dǎo)體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀碩士畢業(yè)生或以上,博士優(yōu)先;(3)優(yōu)先考慮具有硅光器件與模塊設(shè)計及測試經(jīng)驗 |
博士 | 2 | 微電子學(xué)與固體電子學(xué)、物理類 | yanghua@semi.ac.cn | 不限 | |
37 | 從事半導(dǎo)體物理及器件模擬,開發(fā)模擬方法及程序研究工作 | 博士 | 3 | 物理類、材料類 | jiameng@semi.ac.cn | 不限 | |
38 | 光電集成芯片設(shè)計與材料生長和器件制備 | 博士 | 1 | 微電子學(xué)與固體電子學(xué) | jqpan@semi.ac.cn | 是 | |
光電系統(tǒng)實驗室 | 39 | 光纖傳感系統(tǒng)研發(fā) | 碩士及以上 | 1 | 電子信息類、計算機(jī)類 | zhangwt@semi.ac.cn | 不限 |
40 | 光纖傳感系統(tǒng)研發(fā) | 博士 | 1 | 電子信息類、計算機(jī)類 | zhangwt@semi.ac.cn | 不限 | |
41 | 光電探測及成像系統(tǒng)設(shè)計與研發(fā) | 博士 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類、光學(xué)工程類 | wangxinwei@semi.ac.cn | 不限 | |
寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心 | 42 | 開展紫外LED封裝技術(shù)和金剛石基探測器制備技術(shù)研究 | 博士 | 1 | 凝聚態(tài)物理,電子科學(xué)與技術(shù) | jxwang@semi.ac.cn gqshan@semi.ac.cn | 不限 |
43 | 開展氮化物半導(dǎo)體紫外LED和LD研究 | 碩士 | 2 | 凝聚態(tài)物理,電子科學(xué)與技術(shù) | jxwang@semi.ac.cn gqshan@semi.ac.cn | 不限 | |
44 | 氮化物紫外材料外延生長設(shè)備維護(hù)與操作 | 本科 | 1 | 凝聚態(tài)物理,電子科學(xué)與技術(shù) | jxwang@semi.ac.cn gqshan@semi.ac.cn | 不限 | |
45 | 第三代半導(dǎo)體單晶材料生長設(shè)備維護(hù)與操作 | 本科 | 1 | 光學(xué)工程,材料科學(xué)與工程 | jxwang@semi.ac.cn gqshan@semi.ac.cn | 不限 |
二、招聘方式及程序
1. 應(yīng)聘者須填寫《中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所崗位應(yīng)聘申請表》,并以電子郵件方式發(fā)送至對應(yīng)崗位郵箱。郵件標(biāo)題及應(yīng)聘申請表名稱請注明“用人部門-崗位序號-學(xué)歷-畢業(yè)院校-專業(yè)-姓名-聯(lián)系方式-生源地” (“生源地”的填寫僅限應(yīng)屆生),舉例:集成技術(shù)中心-5-碩士-清華大學(xué)-凝聚態(tài)物理-張三-130xxxx-山東濟(jì)南。
2. 本招聘啟事有效期至2025年5月31日。通過資格初審的應(yīng)聘者參加面試,面試時間和地點將另行通知。初選不合格者不再通知。
三、聯(lián)系方式
聯(lián)系人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所人事教育處 亓老師(010-82304956 )
地 址:北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
郵 編:100083
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