功能薄膜與界面研究部因科研工作需要，現(xiàn)招聘科研人員1名，具體要求如下：
一、崗位描述：
從事氮化鎵相關(guān)材料研究
二、應(yīng)聘條件：
1、半導(dǎo)體材料或半導(dǎo)體物理專業(yè)背景，具有博士學(xué)位；年齡35周歲以下；
2、具有III-V氮化物光電功能薄膜的制備及與光電性能測(cè)試等方面研究背景（有GaN晶體生長(zhǎng)和HVPE使用研究經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮）；
3、在國(guó)外核心期刊發(fā)表論文3篇以上或申請(qǐng)過(guò)國(guó)家發(fā)明專利；
4、具有很強(qiáng)的獨(dú)立工作能力；工作踏實(shí)、主動(dòng)性強(qiáng)；
5、具有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神和良好的溝通能力。
三、報(bào)名要求：
請(qǐng)有意競(jìng)聘者提交個(gè)人簡(jiǎn)歷，郵件主題注明“應(yīng)聘-科研人員”簡(jiǎn)歷名稱填寫(xiě)為“姓名-學(xué)校-專業(yè)-學(xué)位-畢業(yè)時(shí)間（X年X月）”。
簡(jiǎn)歷接收截止日期：2014年12月31日。
聯(lián)系人：劉寶丹郵箱：baodanliu@imr.ac.cn
一、崗位描述：
從事氮化鎵相關(guān)材料研究
二、應(yīng)聘條件：
1、半導(dǎo)體材料或半導(dǎo)體物理專業(yè)背景，具有博士學(xué)位；年齡35周歲以下；
2、具有III-V氮化物光電功能薄膜的制備及與光電性能測(cè)試等方面研究背景（有GaN晶體生長(zhǎng)和HVPE使用研究經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮）；
3、在國(guó)外核心期刊發(fā)表論文3篇以上或申請(qǐng)過(guò)國(guó)家發(fā)明專利；
4、具有很強(qiáng)的獨(dú)立工作能力；工作踏實(shí)、主動(dòng)性強(qiáng)；
5、具有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神和良好的溝通能力。
三、報(bào)名要求：
請(qǐng)有意競(jìng)聘者提交個(gè)人簡(jiǎn)歷，郵件主題注明“應(yīng)聘-科研人員”簡(jiǎn)歷名稱填寫(xiě)為“姓名-學(xué)校-專業(yè)-學(xué)位-畢業(yè)時(shí)間（X年X月）”。
簡(jiǎn)歷接收截止日期：2014年12月31日。
聯(lián)系人：劉寶丹郵箱：baodanliu@imr.ac.cn
為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國(guó)博士人才網(wǎng)）
中國(guó)-博士人才網(wǎng)發(fā)布
聲明提示：凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：XXX”的文/圖等稿件，本網(wǎng)轉(zhuǎn)載出于傳遞更多信息及方便產(chǎn)業(yè)探討之目的，并不意味著本站贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性，文章內(nèi)容僅供參考。
