研究?jī)?nèi)容和方向
1.新型環(huán)柵GAA器件基礎(chǔ)研究;
2.新型環(huán)柵GAA器件集成方案開發(fā)驗(yàn)證(包括關(guān)鍵工藝模塊開發(fā)驗(yàn)證,單元電路版圖依賴效應(yīng)LDE研究等);
3.新型環(huán)柵GAA器件建模研究;
4.基于新型環(huán)柵GAA器件的IC電路設(shè)計(jì)研究(包括邏輯、存儲(chǔ)、射頻等電路,以及標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)開發(fā));
5.基于新型環(huán)柵GAA器件設(shè)計(jì)與工藝協(xié)同優(yōu)化DTCO技術(shù)研究。
招收條件
1.在國(guó)內(nèi)外已獲得電子/微電子等相關(guān)專業(yè)博士學(xué)位或即將獲得博士學(xué)位的應(yīng)屆博士研究生,年齡在35歲以下,可全職進(jìn)行博士后研究;
2.具有微電子、物理、材料等相關(guān)專業(yè)博士學(xué)位,專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)扎實(shí);
3.有優(yōu)秀的科研英文寫作能力,具有獨(dú)立開展科研的能力、對(duì)學(xué)術(shù)有追求鉆研精神、有團(tuán)隊(duì)合作精神;
4.博士或博士后期間的研究方向與先進(jìn)三維集成器件如FinFET/GAAFET等、TCAD器件仿真、器件建模、電路設(shè)計(jì)仿真有關(guān)者優(yōu)先考慮。
博士后待遇
1.博士后人員薪酬待遇年薪20萬以上,另加績(jī)效獎(jiǎng)勵(lì)。入選者在站期間若獲得“國(guó)家博士后創(chuàng)新人才支持計(jì)劃”或“上海市超級(jí)博士后激勵(lì)計(jì)劃”資助,在計(jì)劃執(zhí)行期間,仍按相應(yīng)崗位年薪進(jìn)行疊加資助;鼓勵(lì)博士后申請(qǐng)國(guó)家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目;
2.博士后公寓、戶口和子女入學(xué)按照學(xué)校規(guī)定執(zhí)行;
3.博后期間表現(xiàn)優(yōu)秀者,可優(yōu)先推薦應(yīng)聘學(xué)校公開招聘崗位。
課題組簡(jiǎn)介
課題組依托復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,配置有完備的Synopsys3D器件工藝TCAD仿真模擬工具和DTCO技術(shù)工具鏈。課題組研究范圍包括環(huán)柵GAA器件制備工藝開發(fā)、GAA器件建模和電路仿真等方向,未來將聚焦于新結(jié)構(gòu)新機(jī)制三維器件研究以及相應(yīng)工藝集成技術(shù)的開發(fā)。實(shí)驗(yàn)室提供良好的軟硬件資源、與工業(yè)界接軌的工程理念和合作機(jī)會(huì)、以及開放包容的科研環(huán)境,構(gòu)建團(tuán)隊(duì)成員職業(yè)發(fā)展的優(yōu)秀平臺(tái)。
應(yīng)聘材料及方式
1.個(gè)人簡(jiǎn)歷
2.博士研究生畢業(yè)證書和學(xué)位證書
3.學(xué)術(shù)研究代表作
4.其它需要說明的問題
5.聘用程序:(1)投遞應(yīng)聘材料(電子版),請(qǐng)以博士后申請(qǐng)-博士畢業(yè)院校-姓名郵件標(biāo)題,將電子版材料發(fā)送至xu_min@fudan.edu.cn,wuchunlei@fudan.edu.cn;(2)初審合格后電話通知面試;(3)面試未通過者,不再另行通知,應(yīng)聘材料不予退還
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