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浙大杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院2022年全球引才正式啟動(dòng)

時(shí)間:2022-04-02來源:中國博士人才網(wǎng) 作者:佚名
中心簡(jiǎn)介
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心成立于2019年2月28日,是新時(shí)代浙江大學(xué)和杭州市全面深化市校戰(zhàn)略合作共建的重大科技創(chuàng)新平臺(tái),是浙江省深入貫徹習(xí)近平總書記考察浙江重要講話精神、全面落實(shí)省委十四屆七次全會(huì)部署、建設(shè)高水平創(chuàng)新型省份,打造“互聯(lián)網(wǎng)+”、新材料和生命健康三大科創(chuàng)高地的重大標(biāo)志性工程?苿(chuàng)中心致力建設(shè)面向人才培養(yǎng)、前沿科技和社會(huì)服務(wù)的新型大學(xué)校區(qū),推動(dòng)成果轉(zhuǎn)化、技術(shù)交易和產(chǎn)業(yè)投資的開放科技園區(qū),促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和制度創(chuàng)新的卓越創(chuàng)新特區(qū),打造先進(jìn)制造業(yè)的示范地、創(chuàng)新經(jīng)濟(jì)的策源地、硬核科技的集聚地。 
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院緊緊圍繞國家重大戰(zhàn)略需求和浙江省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局,以數(shù)字化改革為引領(lǐng),以寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率芯片和射頻芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化為核心,以封裝測(cè)試和應(yīng)用技術(shù)作為服務(wù)支撐,擁有國際一流的大型儀器設(shè)備和超凈實(shí)驗(yàn)室等研發(fā)設(shè)施,目前已獲批浙江省寬禁帶功率半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,國內(nèi)唯一的全鏈條開放式寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及應(yīng)用創(chuàng)新高能級(jí)科研平臺(tái),研究院由楊德仁院士擔(dān)任首席科學(xué)家,學(xué)術(shù)委員會(huì)主任由鄭有炓院士擔(dān)任,院長(zhǎng)由盛況教授擔(dān)任,整合浙江大學(xué)電氣學(xué)院、材料學(xué)院、信電學(xué)院以及上下游相關(guān)企業(yè)力量,著力打造第三代半導(dǎo)體研發(fā)、制造、應(yīng)用和測(cè)試評(píng)價(jià)全產(chǎn)業(yè)鏈的新格局,驅(qū)動(dòng)浙江省、長(zhǎng)三角地區(qū)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與轉(zhuǎn)型,以硬核科技成果支撐浙江省乃至全國相關(guān)戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展,提高我國在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際競(jìng)爭(zhēng)力和影響力。
崗位條件及待遇保障
崗位名稱 待遇保障 崗位申報(bào)條件
頂尖人才 科創(chuàng)中心為頂尖人才及其創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)提供充足科研資助和有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬保障,采取“一人一議、一事一議”的方式。 中國科學(xué)院和工程院院士、發(fā)達(dá)國家院士、諾貝爾獎(jiǎng)獲得者、國際大獎(jiǎng)獲得者或相當(dāng)水平的海內(nèi)外頂尖學(xué)者。
攻堅(jiān)人才 (1)提供有競(jìng)爭(zhēng)力的市場(chǎng)化薪酬,具體一人一議; 
(2)符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策; 
(3)提供500-1200萬科研資助; 
(4)提供150m2+辦公、科研用房; 
(5)提供“專人一站式”服務(wù),共享科創(chuàng)中心大型儀器設(shè)備; 
(6)符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應(yīng)人才政策,協(xié)助申請(qǐng)人才配套用房; 
(7)符合相關(guān)要求的,可申請(qǐng)浙江大學(xué)長(zhǎng)聘教職崗位。
教育部“獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”獲得者、國家杰出青年科學(xué)基金獲得者或相當(dāng)水平的海內(nèi)外領(lǐng)軍學(xué)者。
青年人才-“科創(chuàng)百人計(jì)劃”(求是科創(chuàng)學(xué)者) (1)提供有競(jìng)爭(zhēng)力的市場(chǎng)化薪酬,具體一人一議; 
(2)符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策; 
(3)提供300萬+科研資助; 
(4)提供良好的辦公環(huán)境和充足的研究空間; 
(5)可兼聘至浙江大學(xué)相關(guān)院系,領(lǐng)域資深專家擔(dān)任職業(yè)導(dǎo)師; 
(6)提供“專人一站式”服務(wù),共享科創(chuàng)中心大型儀器設(shè)備; 
(7)符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應(yīng)人才政策,協(xié)助申請(qǐng)地方政府人才配套用房; 
(8)符合相關(guān)要求的,可申請(qǐng)浙江大學(xué)長(zhǎng)聘/預(yù)聘教職崗位。
在海內(nèi)外高水平大學(xué)或研究機(jī)構(gòu)獲得博士學(xué)位;具有國際高水平大學(xué)助理教授相當(dāng)學(xué)術(shù)水平,或海內(nèi)外龍頭企業(yè)總工程師、副總工程師、技術(shù)總監(jiān)等職位相當(dāng)水平;能獨(dú)立發(fā)展一個(gè)學(xué)術(shù)或工程技術(shù)方向,有潛力成長(zhǎng)為學(xué)術(shù)或技術(shù)帶頭人;年齡一般在35周歲左右,特別優(yōu)秀者可適當(dāng)放寬;具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等方向堅(jiān)實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣,對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域有足夠的學(xué)科背景支持和較好的研究積累與想法,從事過交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮;有寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域院士或國際知名專家推薦者優(yōu)先考慮。
青年人才-科創(chuàng)青年人才 (1)提供有競(jìng)爭(zhēng)力的市場(chǎng)化薪酬,具體一人一議; 
(2)符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策; 
(3)提供50-100萬科研資助; 
(4)提供良好的辦公環(huán)境和充足的研究空間; 
(5)提供“專人一站式”服務(wù),共享科創(chuàng)中心大型儀器設(shè)備; 
(6)符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應(yīng)人才政策,協(xié)助申請(qǐng)地方政府人才配套用房; 
(7)符合相關(guān)要求的,可申請(qǐng)浙江大學(xué)長(zhǎng)聘/預(yù)聘教職崗位。
在國內(nèi)外頂尖高;蛑芯繖C(jī)構(gòu)獲得博士學(xué)位;在相關(guān)領(lǐng)域具有良好的學(xué)科背景、研究積累以及創(chuàng)新研究思路,有堅(jiān)實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣;具備作為獨(dú)立PI開展研究工作的能力;年齡一般不超過35周歲;具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等方向堅(jiān)實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣,對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域有足夠的學(xué)科背景支持和較好的研究積累與想法,從事過交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮;原則上要求至少有一站博士后或兩年工作經(jīng)歷。
博士后研究人員 (1)根據(jù)科研工作能力提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬(含地方政府人才補(bǔ)助),具體面議(應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補(bǔ)貼10萬元); 
(2)對(duì)獲得中國博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的,杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助; 
(3)參與科創(chuàng)中心重大課題研究并取得顯著成績(jī)的,可獲得額外資助或津貼; 
(4)提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件; 
(5)協(xié)助申請(qǐng)杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房; 
(6)工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績(jī)突出者,如符合相應(yīng)要求,可優(yōu)先推薦申請(qǐng)科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者”崗位或技術(shù)開發(fā)崗位; 
(7)在站期間,符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù);出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱,并可獲得地方政府80萬人才補(bǔ)貼; 
(8)入選者符合杭州市高層次人才標(biāo)準(zhǔn)的,可協(xié)助解決子女入園入托問題。
近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位,身心健康,年齡不超過35周歲;具有相關(guān)學(xué)科背景;有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和獨(dú)立科研工作能力;具備良好的英語聽說讀寫能力;能夠全職從事博士后工作,無博士后退站經(jīng)歷。
研究室及人才需求
在科創(chuàng)我們期待與這樣的您相遇
序號(hào) 全名 重點(diǎn)引進(jìn)方向 需求專業(yè)
1 半導(dǎo)體材料研究室(該研究室招聘頂尖人才、攻堅(jiān)人才、青年人才及博士后) 寬禁帶半導(dǎo)體材料(包括但不限于以下方向): 
碳化硅單晶的生長(zhǎng)、碳化硅薄膜的外延、碳化硅中的雜質(zhì)和缺陷、碳化硅的電化學(xué)、碳化硅的表面及界面、碳化硅的新穎原型器件、氮化鎵薄膜的外延、半導(dǎo)體金剛石單晶薄膜的生長(zhǎng)、氧化鎵單晶的生長(zhǎng)、氧化鎵中的雜質(zhì)和缺陷、寬禁帶半導(dǎo)體材料與二維材料的前沿交叉、寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備和加工設(shè)備。
物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等相關(guān)專業(yè)
2 功率芯片研究室(該研究室招聘頂尖人才、攻堅(jiān)人才、青年人才及博士后) 寬禁帶半導(dǎo)體器件(包括但不限于以下方向): 
碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、氧化鎵功率器件、其他寬禁帶功率器件、單芯片集成技術(shù)、多芯片集成技術(shù)、芯片散熱技術(shù)、能量收集技術(shù)、寬禁帶傳感技術(shù)芯片、其他寬禁帶技術(shù)等。
物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等相關(guān)專業(yè)
3 封裝測(cè)試研究室(該研究室招聘頂尖人才、攻堅(jiān)人才、青年人才及博士后) 封裝測(cè)試和應(yīng)用(包括但不限于以下方向): 
功率器件的封裝、其他相關(guān)器件的封裝、模塊集成測(cè)試技術(shù)和電力電子裝置的開發(fā)。
物理、材料、電氣工程、微電子等相關(guān)專業(yè)
4 射頻芯片研究室(該研究室招聘頂尖人才、攻堅(jiān)人才) 射頻芯片(包括但不限于以下方向): 
氮化鎵射頻器件、氧化鎵射頻器件、金剛石射頻器件、射頻芯片設(shè)計(jì)開發(fā)(如功率放大器、低噪聲放大器、開關(guān)、混頻器、微波控制芯片、頻率變換芯片、微波多功能芯片等)。
微電子、電磁場(chǎng)與微波、電子工程、半導(dǎo)體器件與工藝、凝聚態(tài)物理、信息處理技術(shù)、軟件開發(fā)與計(jì)算機(jī)應(yīng)用技術(shù)、自動(dòng)控制與系統(tǒng)工程、傳感器與執(zhí)行器技術(shù)等相關(guān)專業(yè)
5 MEMS實(shí)驗(yàn)室(該實(shí)驗(yàn)室招聘攻堅(jiān)人才) MEMS(包括但不限于以下方向): 
薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術(shù)、聲表面波(SAW)技術(shù)、射頻有源無源異質(zhì)異構(gòu)單片集成技術(shù)、5G/6G射頻濾波器開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等。
電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、物理、材料、通信等相關(guān)專業(yè)
申請(qǐng)方式
有意向申請(qǐng)者請(qǐng)將詳細(xì)個(gè)人簡(jiǎn)歷(包括個(gè)人基本信息、學(xué)習(xí)和工作經(jīng)歷、主要學(xué)術(shù)成績(jī)、承擔(dān)科研項(xiàng)目情況、發(fā)表文章目錄、專利及獲獎(jiǎng)情況等)整合為單一PDF文檔,以“姓名+研究室+學(xué)科方向+崗位 ”命名發(fā)送至郵箱:botong@zju.edu.cn
詳情請(qǐng)咨詢:0571-82995625
地址:浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號(hào)浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心(啟動(dòng)區(qū)塊)
更多招聘信息詳見浙大杭州科創(chuàng)中心官網(wǎng):https://ehr.hic.zju.edu.cn
號(hào)外!引才薦賢獎(jiǎng)
科創(chuàng)中心在尋覓“千里馬”的同時(shí),也針對(duì)鳴知其意、慧眼識(shí)珠的“伯樂”,推出了引才薦賢獎(jiǎng)!成功引薦頂尖人才、攻堅(jiān)人才、青年人才并全職到科創(chuàng)中心工作的,分別給予稅前 20-50 萬/人、15-20 萬/人、3 萬/人的引才獎(jiǎng)勵(lì)。歡迎您將優(yōu)秀的TA推薦給我們!
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院
現(xiàn)面向全球持續(xù)招募各類人才崗位,亟待各路英才加盟!
本招聘啟事長(zhǎng)期有效,歡迎大家聯(lián)系和引薦!

為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至:boshijob@126.com(郵件標(biāo)題格式:應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng))

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