【導師簡介】
化夢媛，南方科技大學助理教授，副高級，博士生導師。清華大學物理學學士（2009-2013），香港科技大學電子與計算機工程學博士（2013-2017）及博士后（2017-2018）�；瘔翩虏┦恐铝τ趯捊麕О雽w器件與IC研究，在高端制造工藝、測試表征技術、器件結構設計、可靠性等方面做出一系列原創(chuàng)性和系統(tǒng)性的工作。共發(fā)表國際高水平期刊與會議論文90余篇，引用超1800次，h因子22。成果包括國際電子器件領域的頂級峰會IEDM論文7篇，電力電子領域旗艦會議ISPSD論文11篇，為國際會議做邀請報告10余次；發(fā)表器件領域頂級期刊IEEE Electron Device Lett. 15篇，IEEE Trans. Electron Devices 8篇，多次選入熱點論文，被產(chǎn)業(yè)界權威雜志專題報道。獲2020年IEEE ICSICT杰出青年科技論文獎；獲2017年IEEE ISPSD最佳青年學者獎；現(xiàn)任國際高水平期刊IEEE Trans. Electron Devices編輯。申請發(fā)明專利6項，主持省部級項目2項。課題負責人主頁：http://eee.sustc.edu.cn/?view=%E ... %9B&jsid=18
【招聘方向】
微電子
半導體
物理
【博士后招聘要求】
(1)35歲以下；
(2)取得國內(nèi)外知名高校電子，微電子、半導體和物理等相關學科的博士學位，或即將畢業(yè)；
(3)熱衷科學研究、恪守學術道德準則，有強烈的責任心，善于團隊協(xié)作，能夠相對獨立地思考、解決科學問題；
(4)具備課題組相關研究方向良好的科研能力；
(5)具備良好的半導體物理和器件基礎、較強的動手能力和英文寫作與交流能力；
(6)在相關領域主流SCI期刊或頂級會議以第一作者身份發(fā)表過論文1篇以上，論文能體現(xiàn)自己的特長與能力；
符合以下一項或幾項條件者將予以優(yōu)先考慮：
(1)熟悉GaN半導體材料與器件方面的工作；
(2)有半導體器件工藝經(jīng)驗；
(3)熟練使用器件物理仿真軟件；
(4)熟悉半導體器件電學特性測試與分析；
(5)以第一作者發(fā)表SCI論文3篇；
【博士后待遇】
1、博士后聘用期兩年，年薪33萬元起，含廣東省生活補助15萬元及深圳市生活補助6萬元，并按深圳市有關規(guī)定參加社會保險及住房公積金。博士后福利費參照學校教職工標準發(fā)放。
2、特別優(yōu)秀候選人可以申請校長卓越博士后，年薪可達50萬元以上。（含廣東省及深圳市補助）。
3、在站期間，可依托學校申請深圳市公租房，未依托學校使用深圳市公租房的博士后，可享受兩年稅前2800元/月的住房補貼。
4、擁有優(yōu)良的工作環(huán)境和境內(nèi)外合作交流機會，博士后在站期間享受兩年共計2.5萬學術交流經(jīng)費資助。
5、課題組協(xié)助符合條件的博士后申請“廣東省海外青年博士后引進項目”。即在世界排名前200名的高校（不含境內(nèi)，排名以上一年度泰晤士、USNEWS、QS和上海交通大學的世界大學排行榜為準）獲得博士學位，在廣東省博士后設站單位從事博士后研究，并承諾在站2年以上的博士后，申請成功后省財政給予每名進站博士后資助60萬元生活補貼（與廣東省每年15萬生活補助不同時享受，與深圳市每年6萬元生活補助同時享受情況以深圳市規(guī)定為準）；對獲得本項目資助，出站后與廣東省用人單位簽訂工作協(xié)議或勞動合同，并承諾連續(xù)在粵工作3年以上的博士后，省財政給予每人40萬元住房補貼。
6、博士后出站選擇留深從事科研工作，且與本市企事業(yè)單位簽訂3年以上勞動（聘用）合同的，可以申請深圳市博士后留深來深科研資助。深圳市政府給予每人每年10萬元科研資助，共資助3年（以深圳市最新申報要求為準）。
【應聘申請材料】
1.個人簡歷（包含完整的學術論文列表）；
2.代表性論文全文；
3.其他科研成果說明（如專著、專利）；
4.研究工作總結，興趣陳述和工作計劃。
【應聘方式】
有意者請將申請材料發(fā)送至：huamy@sustech.edu.cn
申請截至日期：本招聘長期有效，招滿為止。
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
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